Samsung dan IBM merayakan terobosan: Masalah smartphone terbesar akan segera ada dalam sejarah

Tahun demi tahun, produsen smartphone di seluruh dunia berusaha meningkatkan kinerja sekaligus meningkatkan efisiensi perangkat mereka. Samsung dan IBM memang seharusnya membuat terobosan dalam desain prosesor. Dengan demikian, smartphone dapat menawarkan otonomi yang lebih lama.

Samsung dan IBM membuat terobosan dalam desain semikonduktor

Prosesor yang didasarkan pada desain semikonduktor tertentu berfungsi di setiap ponsel cerdas. Di sinilah tepatnya IBM melakukan gebrakan bekerjasama dengan Samsung. Transistor bekerja dengan yang baru “Transistor efek medan transportasi vertikal” -Verfahren (VTFET) vertikal, dapat melakukan perhitungan lebih cepat dan membutuhkan daya yang jauh lebih sedikit.

IBM dan Samsung juga memberikan angka yang tepat. itu Kinerja prosesor baru harus berlipat ganda dan, pada saat yang sama, kebutuhan daya harus dikurangi hingga 85%.. Secara khusus, itu berarti bahwa smartphone yang kuat akan bertahan tidak hanya satu atau dua hari dengan sekali pengisian baterai, tetapi seminggu. Hal ini tentu saja akan berpengaruh signifikan terhadap penggunaan smartphone.

Video berikut menjelaskan secara detail teknologi dari IBM dan Samsung:

Tapi kita tidak bisa terlalu dini untuk menantikannya. IBM dan Samsung kini telah membuat terobosan dengan proses Transistor Efek Medan Transpor Vertikal, tetapi akan membutuhkan waktu sebelum kami benar-benar mendapatkan terminal dengan prosesor yang menggunakan teknologi ini. Namun demikian, penting untuk melihat bahwa langkah besar telah diambil di sektor ini, dan kami juga belum mencapai batas fisik desain semikonduktor.

Samsung ingin mengurangi ukuran baterai Galaxy S22

Samsung akan segera menghadirkan smartphone Galaxy S22 barunya, dan mungkin di sana Pasang baterai yang lebih kecil daripada di pendahulunya. Prosesor yang sedikit lebih efisien juga digunakan di sana, tetapi runtime masih bisa terganggu. Paling lambat ketika Samsung membangun prosesor berdasarkan teknologi VTFET baru, hampir tidak ada bedanya.